二极管

特性： 单向导通、伏安特性
二极管盗用后，它的分压是0.7v
发光二极管导通后分得的电压为1-2V，电流值为5-20mAV
正向电压很小时二极管不导通，二极管正向导通电压为0.5V

稳压二极管、

整流二极管

用于把交流电编程脉动直流电

开关二极管

由导通变为截止或由截止变为导通所需要的时间比一般二极管短
主要作用：防止反向电流烧坏精密器件

电容

作用：旁路、去耦、滤波、储能。
旁路：1. 使输入电压均匀化，减小噪声对后级影响
2. 储能，当外界信号变化过快时，及时进行补偿

去耦： 去耦电容和旁路电容作用差不多，都是滤除干扰信号的作用。旁路电容针对输入信号，去耦电容针对输出信号。
去耦电容一般比较大，10uf或更大。旁路电容一般根据谐振频率是0.1uf或0.01uf

滤波： 滤除杂波，大电容滤低频，小电容滤高频

储能：收集电荷

电容应用中的问题

铝电解电容： 长脚+，短脚-，或电容上银色为负极

瓷片电容和独石电容无极性

注意：耐压值、防止短接

晶体三极管

特点： 用输入电流控制输出电流的流控制型器件
三种工作状态： 放大、饱和、截止状态

三极管主要参数

  1. 共发射极电流放大系数
  2. 集电极最大允许电流Icm
  3. 集电极最大允许耗散功率Pcm
  4. 集电极-发射极间反向击穿电压Vceo

场效应管（mos管）

电压控电流器件。
三分电极：栅极G、漏极D、源极S。

  1. 当电压小于1.5V的开启电压时，mos管不导通。
  2. 可变电阻区：UDS很小，电流随UGS的增大而增大
  3. 恒流区：UGS不变，UDS增大电流变化很小
  4. 击穿区：当UDS达到一定值，mos管被击穿，ID突然增大，管子易烧坏
  5. 截止区：电压小于1.5V的开启电压时，mos管不导通

三极管与mos管的区别

  1. 三极管是电流控制器件（基极电流控制三极管导电能力）
    mos管是电压控制器件
  2. 三极管输入阻抗不高
    mos管输入阻抗高
  3. 三极管噪声高
    mos噪声小
  4. 三极管反应速度快
    mos反应速度慢

光耦

实现电光电的转换

瞬态电压抑制器（TVS）

二极管形式的高效能保护器件，防止瞬态高能量冲击，保护器件。
作用：

  1. 加载信号和电源线上，能防止微处理器，人体静电、交流浪涌或噪声，导致处理器失灵。